OVONİK a. (fr. ovonique, ing. ovonics' ten). 60'lı yıllarda, amerikalı Stanford R. Ovshinsky'nin bulmuş olduğu ve ince ...
OVONİK a. (fr. ovonique, ing. ovonics' ten). 60'lı yıllarda, amerikalı Stanford R. Ovshinsky'nin bulmuş olduğu ve ince katmanlar halindeki bileşmiş kimi elementlere ilişkin özelliklere dayanan tekniklerin tümü.
♦ sıf.
1. Ovoniğe ilişkin.
2. Ovonik tesir, ovonik tekniklerinde ortaya çıkan ya da kullanılan tesir.
*ANSİKL. Ovonik, elektroniğin teknolojik bir dalıdır. Kalkojenürlerle (bilhassa tellür), dönemli sınıflandırmanın dördüncü ve beşinci sütunundaki elementlerin (silisyum, germanyum, arsenik, antimon) bileşimlerinden oluşan filmlerin özelliklerinden lanır.
ilk ovonik tesir, bu filmlerde görülen bir elektriksel iletim eşiği etkisidir. Bir film iki elektrot arasına yerleştirildiğinde, uygulanan gerilim bir eşik kıymetini aşmadığı sürece çok büyük bir direnç gösterir Bu gerilim eşiği aşıldığında, direnç birkaç nanosaniyede, başlangıçtaki değerinin binde birine düşer. Vaka tersinirdir ve bir mikrosaniyeden azca bir sürede başlangıç durumuna dönülür Bu eşik esrisi, gigahertzler bandında çalışabilen, son aşama süratli anahtarlama düzeneklerini gerçekleştirmede kullanılır.
ikinci ovonik tesir, camsı'yapıdan kristal yapıya ya da kristal yapıdan camsı yapıya geçişin sonucu olan bir hafıza etkisidir. Düşük gerilimlerde, camsı film yalıtkan, kristal film ise iletkendir. Camların bir bir çoğu gibi kalkojenür camlar da, "de liquidus" sıcaklığı adında olan bir sıcaklıktan daha düşük bir sıcaklığa getirildiklerinde donuklaşabilirler; "de liquidus†sıcaklığının üstünde, cam kesin bir sıvıdır. Bu sıcaklığın birazcık altında ise, ilkin iletken olan, fakat 375 “C'nin üstünde ısıtılıp hızla soğutulduğunda tekrardan yalıtkanlaşan kristal bir evre oluşur.
Isıl etkilerden lanan bu evre değişimleri, birkaç miliamperlik bir akım uygulanarak mahalli olarak ve milisaniye düzeyindeki süre aralıklarında elde edilebilir. Bu evre değişimleri, neredeyse noktasal olarak, laserle de elde edilebilir. Evre değişimleri tersinirdir ve sadece binlerce çevrimden sonrasında yorulma ortaya çıkar. Özdeş yöntemlerle, bilgi depolamak ya da silmek de olanaklıdır Bu bilgiler optik yöntemlerle okunabilir, bu sebeple camsı yapılar saydam, kristal yapılar ise saydam değildir Ovonik bellekler, bilgilerin sıkça okunduğu fakat nadir olarak silmiş olduğu uygulamalar için uygundur.
♦ sıf.
1. Ovoniğe ilişkin.
2. Ovonik tesir, ovonik tekniklerinde ortaya çıkan ya da kullanılan tesir.
*ANSİKL. Ovonik, elektroniğin teknolojik bir dalıdır. Kalkojenürlerle (bilhassa tellür), dönemli sınıflandırmanın dördüncü ve beşinci sütunundaki elementlerin (silisyum, germanyum, arsenik, antimon) bileşimlerinden oluşan filmlerin özelliklerinden lanır.
ilk ovonik tesir, bu filmlerde görülen bir elektriksel iletim eşiği etkisidir. Bir film iki elektrot arasına yerleştirildiğinde, uygulanan gerilim bir eşik kıymetini aşmadığı sürece çok büyük bir direnç gösterir Bu gerilim eşiği aşıldığında, direnç birkaç nanosaniyede, başlangıçtaki değerinin binde birine düşer. Vaka tersinirdir ve bir mikrosaniyeden azca bir sürede başlangıç durumuna dönülür Bu eşik esrisi, gigahertzler bandında çalışabilen, son aşama süratli anahtarlama düzeneklerini gerçekleştirmede kullanılır.
ikinci ovonik tesir, camsı'yapıdan kristal yapıya ya da kristal yapıdan camsı yapıya geçişin sonucu olan bir hafıza etkisidir. Düşük gerilimlerde, camsı film yalıtkan, kristal film ise iletkendir. Camların bir bir çoğu gibi kalkojenür camlar da, "de liquidus" sıcaklığı adında olan bir sıcaklıktan daha düşük bir sıcaklığa getirildiklerinde donuklaşabilirler; "de liquidus†sıcaklığının üstünde, cam kesin bir sıvıdır. Bu sıcaklığın birazcık altında ise, ilkin iletken olan, fakat 375 “C'nin üstünde ısıtılıp hızla soğutulduğunda tekrardan yalıtkanlaşan kristal bir evre oluşur.
Isıl etkilerden lanan bu evre değişimleri, birkaç miliamperlik bir akım uygulanarak mahalli olarak ve milisaniye düzeyindeki süre aralıklarında elde edilebilir. Bu evre değişimleri, neredeyse noktasal olarak, laserle de elde edilebilir. Evre değişimleri tersinirdir ve sadece binlerce çevrimden sonrasında yorulma ortaya çıkar. Özdeş yöntemlerle, bilgi depolamak ya da silmek de olanaklıdır Bu bilgiler optik yöntemlerle okunabilir, bu sebeple camsı yapılar saydam, kristal yapılar ise saydam değildir Ovonik bellekler, bilgilerin sıkça okunduğu fakat nadir olarak silmiş olduğu uygulamalar için uygundur.
Kaynak: Büyük Larousse
YORUMLAR