Bir tek okunabilir hafıza (İngilizce: Read-only Memory , ROM). ROM, bilgisayarlarda ve öteki elektronik aletlerde kullanılan bir depolama ...
Bir tek okunabilir hafıza (İngilizce: Read-only Memory, ROM). ROM, bilgisayarlarda ve öteki elektronik aletlerde kullanılan bir depolama birimidir. RAM şeklinde yazılıp silinebilen bir depolama birimi değildir. ROM içinde ne olduğu yalnız üretim anında yazılır. Kullanıcının kendi isteği doğrultusunda programlanamaz.
Yazılımı: Elektrikle değiştirilebilir ROM bu tür için, yazma hızı devamlı çok süratli okuma ise daha yavaştır. ve muhteşem yüksek voltaj, sinyalleri etkinleştirmek yazmak uygulamak için jumper fişlerinin hareketi ve / komut kodları kilidini hususi kilit gerekebilir. Çağdaş NAND Flash (gereksinim) hafıza hücrelerinin büyük bloklar aynı anda yazılı izin vererek, 15 MB / s şeklinde yüksek hızlarda (ya da 70 ns / bit) ile, herhangi bir tekrardan yazılabilir ROM teknolojisi yazma hızı en yükseğe ulaştırır.
Okunma hızı: RAM ve ROM hızlarının kıyası vakit içinde çeşitlilik göstermesine karşın,2007 itibariyle büyük RAM çipleri birçok ROM’dan daha süratli okunmaktadır.Bundan dolayı (ve standart erişime izin vermek için) ROM içinde ne olduğu kimi zaman RAM’e kopyalanır ya da ilk kullanımdan ilkin geçici olarak saklanır ve hemen sonra RAM tarafınca okunması mümkün.
Dayanıklılık ve Veri Gizleme: Tekrardan yazılabilir ROM sadece belli bir yazma sayısına kadar dayanıklıdır şundan dolayı elektronların özgür transistör geçişi üstündeki elektrik yalıtım katmanının içinden geçmesiyle yazma işi gerçekleşir.Her geçiş yalıtım katmanında belli bir hasara niçin olur.İzolasyon katmanında kalıcı bir hasar olmadan ilkin ROM döngüsünü tamamlar.İlk çıkan EAROMlarda bu sınır 1.000(bin) yazma işlemiyle sınırlıyken çağıl Flash EEPROMlarda dayanıklılık 1.000.000(bir milyon)’a kadar ulaşmıştır.Gene de bu sınırsız sayıda yazma işlemi anlamına gelmemektedir.Bu dayanıklılık sınırı ve bit başına düşen yüksek kıymet gösteriyor ki yakın gelecekte flash tabanlı belleklerin manyetik disk sürücüleri tamamen yerinden etmesi pek mümkün değildir.
Tam olarak okunabilen ROM’un üstündeki vakit aralığı yazma döngüsüyle sınırı olan değildir. EPROM, EAROM, EEPROM, ve Flash’ın veri gizlemesi, bellek hücre transistörlerinden sızan dalgalı geçişler tarafınca sınırlandırılabilir. Bu sızıntı yüksek ısı ya da ışınım tarafınca hızlandırılabilir. Gizlenmiş ROMlar ve fuse/antifuse PROMlar bundan etkilenmezler, onların veri gizlemesi fizyolojik etkilerden ziyade dahili devrenin elektriksel kalıcılığına bağlıdır.
Tarihçesi: En rahat yapılı transistörlü ROM, transistörün kendisi kadar eski bir tarihe haizdir. Bileşimli mantıksal kapılar, m-bit veri çıktısının isteğe bağlı değerleri üstüne n-bit adres girdisi planı oluşturmak için elle birleştirilebilir. ROM, entegre devrelerin icadıyla Mask ROM’a haline gelmiştir.
YORUMLAR